أرسل رسالة
english français Deutsch Italiano русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
المنزل
المنتجات
مصنعين
معلومات عنا
موارد
أرسل RFQ
تحميل
المنزل>المنتجات>

fet field effect transistor

المرشحات
فئات
المرشحات

الدوائر المتكاملة ICS

(7037)

شريحة ذاكرة IC

(2998)

IC المعزل التناظري

(2527)

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

(5001)

حقل التأثير الترانزستور

(1839)

وحدة الطاقة IGBT

(1002)

الصمام الثنائي

(303)

مكثف للأغراض العامة

(41)

Connectors Interconnects

(83)

محث الطاقة SMD

(100)

مكون التتابع

(203)

صمامات حماية الدائرة

(195)
Keywords   [ fet field effect transistor ]  Match 1597 المنتجات.
SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A

SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A
IRFS3207Z مجال الطاقة تأثير الترانزستور Mosfet رقاقة 75V 170A لحماية الدائرة

IRFS3207Z مجال الطاقة تأثير الترانزستور Mosfet رقاقة 75V 170A لحماية الدائرة
AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8

AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8
AO4264E ترانزستور تأثير المجال N القناة 60V 13.5A Mosfet سطح الصعود SOP8 4264

AO4264E ترانزستور تأثير المجال N القناة 60V 13.5A Mosfet سطح الصعود SOP8 4264
AO4459 ترانزستور تأثير الحقل 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة P واحدة

AO4459 ترانزستور تأثير الحقل 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة P واحدة
AO4616 ترانزستور تأثير الحقل SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة N + P واحدة

AO4616 ترانزستور تأثير الحقل SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة N + P واحدة
SLH60R080SS MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 FET جديد وأصلي 68mΩ 290W

SLH60R080SS MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 FET جديد وأصلي 68mΩ 290W
ترانزستور تأثير المجال Ao3402 Power Mosfet N-Channel 30v 4a Sot23 Fets Single Marking A2

ترانزستور تأثير المجال Ao3402 Power Mosfet N-Channel 30v 4a Sot23 Fets Single Marking A2
CE3512K2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CE3512K2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CE3514M4 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CE3514M4 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
صورةجزء #الوصفالصانعمخزونRFQ
SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A

SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A
IRFS3207Z مجال الطاقة تأثير الترانزستور Mosfet رقاقة 75V 170A لحماية الدائرة

IRFS3207Z مجال الطاقة تأثير الترانزستور Mosfet رقاقة 75V 170A لحماية الدائرة
AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8

AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8
AO4264E ترانزستور تأثير المجال N القناة 60V 13.5A Mosfet سطح الصعود SOP8 4264

AO4264E ترانزستور تأثير المجال N القناة 60V 13.5A Mosfet سطح الصعود SOP8 4264
AO4459 ترانزستور تأثير الحقل 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة P واحدة

AO4459 ترانزستور تأثير الحقل 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة P واحدة
AO4616 ترانزستور تأثير الحقل SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة N + P واحدة

AO4616 ترانزستور تأثير الحقل SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة N + P واحدة
SLH60R080SS MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 FET جديد وأصلي 68mΩ 290W

SLH60R080SS MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 FET جديد وأصلي 68mΩ 290W
ترانزستور تأثير المجال Ao3402 Power Mosfet N-Channel 30v 4a Sot23 Fets Single Marking A2

ترانزستور تأثير المجال Ao3402 Power Mosfet N-Channel 30v 4a Sot23 Fets Single Marking A2
CE3512K2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CE3512K2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CE3514M4 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CE3514M4 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CE3520K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CE3520K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CE3521M4 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CE3521M4 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
ترانزستور تأثير المجال TPH3202PD الترانزستور FETs MOSFETs واحد

ترانزستور تأثير المجال TPH3202PD الترانزستور FETs MOSFETs واحد
ترانزستور تأثير المجال TPH3202PS ترانزستور FETs MOSFETs مفرد

ترانزستور تأثير المجال TPH3202PS ترانزستور FETs MOSFETs مفرد
TPH3206LDGB ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TPH3206LDGB ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
ترانزستور تأثير المجال TPH3208LDG الترانزستور FETs MOSFETs واحد

ترانزستور تأثير المجال TPH3208LDG الترانزستور FETs MOSFETs واحد
ترانزستور تأثير المجال TPH3212PS ترانزستور FETs MOSFETs مفرد

ترانزستور تأثير المجال TPH3212PS ترانزستور FETs MOSFETs مفرد
SCT2750NYTB مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

SCT2750NYTB مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
TPN1R603PL,L1Q Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

TPN1R603PL,L1Q Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
TPHR9203PL ، L1Q مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TPHR9203PL ، L1Q مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TPH2R506PL ، L1Q ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TPH2R506PL ، L1Q ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
CAS300M12BM2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفائف

CAS300M12BM2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفائف
IRF6150 مجال تأثير الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

IRF6150 مجال تأثير الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات
IRF6156 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفيفات

IRF6156 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفيفات
BLF8G20LS-400PVU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF8G20LS-400PVU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF644PU مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF644PU مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF8G20LS-400PGVJ ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF8G20LS-400PGVJ ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF184XRSU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF184XRSU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF879PS ، 112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF879PS ، 112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF8G09LS-400PGWQ ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF8G09LS-400PGWQ ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF2324M8LS200PU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF2324M8LS200PU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF574XRS ، 112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF574XRS ، 112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLC8G22LS-450AVY مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLC8G22LS-450AVY مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLC2425M8LS300PZ مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

BLC2425M8LS300PZ مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF888B، 112 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF888B، 112 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF188XRGJ مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF188XRGJ مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF2425M7L250P ، 112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF2425M7L250P ، 112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF6G13LS-250P ، 112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF6G13LS-250P ، 112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF0910H6LS500U ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF0910H6LS500U ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF888DSU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF888DSU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CLF1G0035-100،112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CLF1G0035-100،112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF888EU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF888EU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CLF1G0035S-100،112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CLF1G0035S-100،112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF1721M8LS200U ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF1721M8LS200U ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF888ESU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF888ESU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLS7G3135L-350P ، 11 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLS7G3135L-350P ، 11 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CLF1G0035S-100PU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CLF1G0035S-100PU ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLC8G27LS-100AVY ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLC8G27LS-100AVY ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF8G27LS-140V ، 118 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF8G27LS-140V ، 118 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF9G20LS-160VJ ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF9G20LS-160VJ ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
1 2 3 4 5 6 7 8
اتصل بنا
عنوان: RM4،16 / F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
البريد الإلكتروني: Vicky@kz-chipforum.com
هاتف: 86--15218629016
المنتجات

الدوائر المتكاملة ICS

شريحة ذاكرة IC

IC المعزل التناظري

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

حقل التأثير الترانزستور

وحدة الطاقة IGBT

الصمام الثنائي

مكثف للأغراض العامة

Connectors Interconnects

محث الطاقة SMD
معلومات عنا
معلومات عنا شهادة الأيزو رقابة جودة سياسة الخصوصية مركز المساعدة
سياسة الخصوصية | الصين نوعية جيدة الدوائر المتكاملة ICS المورد.حقوق النشر © 2023-2024 integratedcircuitsics.com . جميع الحقوقمحجوز.