logo
أرسل رسالة
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
المنزل
المنتجات
مصنعين
معلومات عنا
موارد
أرسل RFQ
تحميل
المنزل>المنتجات>

fet field effect transistor

المرشحات
فئات
المرشحات

الدوائر المتكاملة ICS

(7037)

شريحة ذاكرة IC

(2998)

IC المعزل التناظري

(2527)

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

(5001)

حقل التأثير الترانزستور

(1839)

وحدة الطاقة IGBT

(1002)

الصمام الثنائي

(303)

مكثف للأغراض العامة

(41)

Connectors Interconnects

(83)

محث الطاقة SMD

(100)

مكون التتابع

(203)

صمامات حماية الدائرة

(195)
Keywords   [ fet field effect transistor ]  Match 1597 المنتجات.
SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A

SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A
IRFS3207Z مجال الطاقة تأثير الترانزستور Mosfet رقاقة 75V 170A لحماية الدائرة

IRFS3207Z مجال الطاقة تأثير الترانزستور Mosfet رقاقة 75V 170A لحماية الدائرة
AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8

AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8
AO4264E ترانزستور تأثير المجال N القناة 60V 13.5A Mosfet سطح الصعود SOP8 4264

AO4264E ترانزستور تأثير المجال N القناة 60V 13.5A Mosfet سطح الصعود SOP8 4264
AO4459 ترانزستور تأثير الحقل 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة P واحدة

AO4459 ترانزستور تأثير الحقل 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة P واحدة
AO4616 ترانزستور تأثير الحقل SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة N + P واحدة

AO4616 ترانزستور تأثير الحقل SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة N + P واحدة
SLH60R080SS MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 FET جديد وأصلي 68mΩ 290W

SLH60R080SS MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 FET جديد وأصلي 68mΩ 290W
ترانزستور تأثير المجال Ao3402 Power Mosfet N-Channel 30v 4a Sot23 Fets Single Marking A2

ترانزستور تأثير المجال Ao3402 Power Mosfet N-Channel 30v 4a Sot23 Fets Single Marking A2
CE3512K2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CE3512K2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CE3514M4 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CE3514M4 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
صورةجزء #الوصفالصانعمخزونRFQ
BLF6G27-45،135 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF6G27-45،135 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLS2933-100،112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLS2933-100،112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
NE5511279A-T1-A الترانزستور ذو التأثير الميداني FETs MOSFETs RF Chip

NE5511279A-T1-A الترانزستور ذو التأثير الميداني FETs MOSFETs RF Chip
BLF7G22L-130،112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF7G22L-130،112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
MRF134 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

MRF134 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLP05H635XRY مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

BLP05H635XRY مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
BLC9G20LS-361AVTY مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLC9G20LS-361AVTY مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF6G13LS-250PGJ ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF6G13LS-250PGJ ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLC8G20LS-400AVY ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLC8G20LS-400AVY ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF8G38LS-75VJ ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF8G38LS-75VJ ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF878،112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF878،112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
ترانزستور تأثير المجال PMV450ENEAR الترانزستور FETs MOSFETs واحد

ترانزستور تأثير المجال PMV450ENEAR الترانزستور FETs MOSFETs واحد
NMSD200B01-7 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

NMSD200B01-7 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TPCC8002-H (TE12L ، Q ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TPCC8002-H (TE12L ، Q ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMG4468LFG مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMG4468LFG مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
MCH3476-TL-H مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

MCH3476-TL-H مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
ZXMN2069FTA مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

ZXMN2069FTA مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMN3024LSS-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMN3024LSS-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMN10H220L-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMN10H220L-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
CSD23202W10 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

CSD23202W10 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
AO5404E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

AO5404E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMN3029LFG-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMN3029LFG-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMP2104V-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMP2104V-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BSR315PH6327XTSA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

BSR315PH6327XTSA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
SSM3K310T (TE85L ، F) ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

SSM3K310T (TE85L ، F) ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
BSS87H6327FTSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BSS87H6327FTSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
NTMFS4943NT1G ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

NTMFS4943NT1G ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
2N7002ET1G ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

2N7002ET1G ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMN3018SFG-13 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

DMN3018SFG-13 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
BSL211SPH6327XTSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

BSL211SPH6327XTSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
IRFHS8342TRPBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

IRFHS8342TRPBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
AOD476 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

AOD476 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
AOD484 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

AOD484 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
AO4578 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

AO4578 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMN3033LSNQ-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMN3033LSNQ-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
2N7002L ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

2N7002L ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMG4468LFG-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMG4468LFG-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SSM3K7002CFU ، LF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SSM3K7002CFU ، LF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
AON2400 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

AON2400 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMN3052LSS-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMN3052LSS-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMS3016SFG-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMS3016SFG-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BSP89H6327XTSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

BSP89H6327XTSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
AON2401 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

AON2401 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BSC079N03LSCGATMA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

BSC079N03LSCGATMA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
SIHG30N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIHG30N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STP260N6F6 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STP260N6F6 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STW28NM60ND تأثير المجال الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STW28NM60ND تأثير المجال الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SSM6J206FE (TE85L ، F ترانزستور تأثير المجال FETs MOSFETs أحادي

SSM6J206FE (TE85L ، F ترانزستور تأثير المجال FETs MOSFETs أحادي
STW20NM60FD مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STW20NM60FD مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STW13N95K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STW13N95K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
3 4 5 6 7 8 9 10
اتصل بنا
عنوان: RM4،16 / F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
البريد الإلكتروني: Vicky@kz-chipforum.com
هاتف: 86--15218629016
المنتجات

الدوائر المتكاملة ICS

شريحة ذاكرة IC

IC المعزل التناظري

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

حقل التأثير الترانزستور

وحدة الطاقة IGBT

الصمام الثنائي

مكثف للأغراض العامة

Connectors Interconnects

محث الطاقة SMD
معلومات عنا
معلومات عنا شهادة الأيزو رقابة جودة سياسة الخصوصية مركز المساعدة
سياسة الخصوصية | الصين نوعية جيدة الدوائر المتكاملة ICS المورد.حقوق النشر © 2023-2025 integratedcircuitsics.com . جميع الحقوقمحجوز.