logo
أرسل رسالة
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
المنزل
المنتجات
مصنعين
معلومات عنا
موارد
أرسل RFQ
تحميل
المنزل>المنتجات>

fet field effect transistor

المرشحات
فئات
المرشحات

الدوائر المتكاملة ICS

(7037)

شريحة ذاكرة IC

(2998)

IC المعزل التناظري

(2527)

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

(5001)

حقل التأثير الترانزستور

(1839)

وحدة الطاقة IGBT

(1002)

الصمام الثنائي

(303)

مكثف للأغراض العامة

(41)

Connectors Interconnects

(83)

محث الطاقة SMD

(100)

مكون التتابع

(203)

صمامات حماية الدائرة

(195)
Keywords   [ fet field effect transistor ]  Match 1597 المنتجات.
SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A

SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A
IRFS3207Z مجال الطاقة تأثير الترانزستور Mosfet رقاقة 75V 170A لحماية الدائرة

IRFS3207Z مجال الطاقة تأثير الترانزستور Mosfet رقاقة 75V 170A لحماية الدائرة
AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8

AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8
AO4264E ترانزستور تأثير المجال N القناة 60V 13.5A Mosfet سطح الصعود SOP8 4264

AO4264E ترانزستور تأثير المجال N القناة 60V 13.5A Mosfet سطح الصعود SOP8 4264
AO4459 ترانزستور تأثير الحقل 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة P واحدة

AO4459 ترانزستور تأثير الحقل 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة P واحدة
AO4616 ترانزستور تأثير الحقل SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة N + P واحدة

AO4616 ترانزستور تأثير الحقل SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة N + P واحدة
SLH60R080SS MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 FET جديد وأصلي 68mΩ 290W

SLH60R080SS MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 FET جديد وأصلي 68mΩ 290W
ترانزستور تأثير المجال Ao3402 Power Mosfet N-Channel 30v 4a Sot23 Fets Single Marking A2

ترانزستور تأثير المجال Ao3402 Power Mosfet N-Channel 30v 4a Sot23 Fets Single Marking A2
CE3512K2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CE3512K2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CE3514M4 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CE3514M4 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
صورةجزء #الوصفالصانعمخزونRFQ
BLF7G27L-75P ، 112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF7G27L-75P ، 112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PTFA081501E1V4R250XTMA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

PTFA081501E1V4R250XTMA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
PTFA080551EV4T500XWSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PTFA080551EV4T500XWSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PTFA081501E1V4T500XWSA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

PTFA081501E1V4T500XWSA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
PTAB182002TCV2XWSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PTAB182002TCV2XWSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PTFA211801EV5T350XWSA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

PTFA211801EV5T350XWSA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
PTRA093302DC V1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

PTRA093302DC V1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
PTRA093302DC V1 R250 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

PTRA093302DC V1 R250 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
PTFA192001EV4T350XWSA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

PTFA192001EV4T350XWSA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
PTFA081501E1V4XWSA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

PTFA081501E1V4XWSA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
PTRA093302DCV1R0XTMA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PTRA093302DCV1R0XTMA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PTVA093002TCV1XWSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PTVA093002TCV1XWSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PTRA093302DCV1R2XTMA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PTRA093302DCV1R2XTMA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PTFA092213ELV4T400XWSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PTFA092213ELV4T400XWSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PTVA093002TCV1R250XTMA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PTVA093002TCV1R250XTMA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PD57006-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PD57006-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PD57018-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PD57018-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PD57002-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PD57002-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLP27M810Z مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLP27M810Z مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PD20010-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PD20010-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PD57030-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PD57030-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
MRF171A مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

MRF171A مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLP7G22-10Z ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLP7G22-10Z ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CGH40120F مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

CGH40120F مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
PD85004 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

PD85004 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
MRF160 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

MRF160 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
PD55003-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PD55003-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF6G21-10G ، 135 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF6G21-10G ، 135 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF640U ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF640U ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLP10H610AZ مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

BLP10H610AZ مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
BLM7G1822S-40PBGY مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

BLM7G1822S-40PBGY مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF6G27-10G ، 112 ترانزستور تأثير الحقل FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF6G27-10G ، 112 ترانزستور تأثير الحقل FETs MOSFETs رقاقة RF
CGH40006S مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CGH40006S مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF6G27-10G ، 118 ترانزستور تأثير الحقل FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF6G27-10G ، 118 ترانزستور تأثير الحقل FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF6G21-10G ، 112 ترانزستور تأثير المجال FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF6G21-10G ، 112 ترانزستور تأثير المجال FETs MOSFETs رقاقة RF
MRF136 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

MRF136 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
CGHV1F006S مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

CGHV1F006S مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
MRF148A مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

MRF148A مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
MRF166C مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

MRF166C مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CGHV1F025S مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

CGHV1F025S مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
PD57060S-E مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PD57060S-E مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CGH55015F2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

CGH55015F2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
CLF1G0060-10U ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CLF1G0060-10U ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF183XRU Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

BLF183XRU Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
BLF884P، 112 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF884P، 112 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF184XRU مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF184XRU مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CGH40010F مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CGH40010F مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CGH55030F2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF

CGH55030F2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة RF
PD57060-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PD57060-E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
BLF574XR ، 112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

BLF574XR ، 112 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
1 2 3 4 5 6 7 8
اتصل بنا
عنوان: RM4،16 / F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
البريد الإلكتروني: Vicky@kz-chipforum.com
هاتف: 86--15218629016
المنتجات

الدوائر المتكاملة ICS

شريحة ذاكرة IC

IC المعزل التناظري

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

حقل التأثير الترانزستور

وحدة الطاقة IGBT

الصمام الثنائي

مكثف للأغراض العامة

Connectors Interconnects

محث الطاقة SMD
معلومات عنا
معلومات عنا شهادة الأيزو رقابة جودة سياسة الخصوصية مركز المساعدة
سياسة الخصوصية | الصين نوعية جيدة الدوائر المتكاملة ICS المورد.حقوق النشر © 2023-2025 integratedcircuitsics.com . جميع الحقوقمحجوز.