|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم القطعة: | IRFHS8342TRPBF | الصانع: | إنفينيون تكنولوجيز |
|---|---|---|---|
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN | فئة: | الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية |
| عائلة: | الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية | مسلسل: | HEXFET® |
| حالة الجزء | نشيط |
|---|---|
| نوع FET | قناة N |
| تكنولوجيا | MOSFET (أكسيد المعادن) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 30 فولت |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 8.8 أمبير (تا) ، 19 أمبير (ح) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 4.5 فولت ، 10 فولت |
| Vgs (th) (ماكس) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 600pF @ 25V |
| Vgs (ماكس) | ± 20 فولت |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 2.1 واط (تا) |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 16 مللي أوم @ 8.5 أمبير ، 10 فولت |
| درجة حرارة التشغيل | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ) |
| نوع التركيب | سطح جبل |
| حزمة جهاز المورد | 8-PQFN |
| العبوة / العلبة | 8-PowerVDFN |
| شحنة | UPS / EMS / DHL / FedEx Express. |
| الشرط | مصنع أصلي جديد. |
اتصل شخص: Darek
الهاتف :: +8615017926135
