logo
أرسل رسالة
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
المنزل
المنتجات
مصنعين
معلومات عنا
موارد
أرسل RFQ
تحميل
المنزل>المنتجات>

power mosfet transistor

المرشحات
فئات
المرشحات

الدوائر المتكاملة ICS

(7037)

شريحة ذاكرة IC

(2998)

IC المعزل التناظري

(2527)

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

(5001)

حقل التأثير الترانزستور

(1839)

وحدة الطاقة IGBT

(1002)

الصمام الثنائي

(303)

مكثف للأغراض العامة

(41)

Connectors Interconnects

(83)

محث الطاقة SMD

(100)

مكون التتابع

(203)

صمامات حماية الدائرة

(195)
Keywords   [ power mosfet transistor ]  Match 1608 المنتجات.
أشباه الموصلات قوة Mosfet الترانزستور N قناة STB24N60DM2

أشباه الموصلات قوة Mosfet الترانزستور N قناة STB24N60DM2
BLDC Motors المجال تأثير الترانزستور الطاقة Mosfet IPB017N10N5 Infineon

BLDC Motors المجال تأثير الترانزستور الطاقة Mosfet IPB017N10N5 Infineon
دائرة حماية الطاقة موس الترانزستور رقاقة IPD060N03LGATMA1

دائرة حماية الطاقة موس الترانزستور رقاقة IPD060N03LGATMA1
إنفينيون تكنولوجيز موسفيت أحادي ترانزستورات وحدة الطاقة IGBT 600 فولت 23 أمبير 100 وات IRG4BC30UDPBF

إنفينيون تكنولوجيز موسفيت أحادي ترانزستورات وحدة الطاقة IGBT 600 فولت 23 أمبير 100 وات IRG4BC30UDPBF
أجهزة أشباه الموصلات المنفصلة STP110N8F6 Mosfet لتبديل التطبيقات

أجهزة أشباه الموصلات المنفصلة STP110N8F6 Mosfet لتبديل التطبيقات
N قناة تأثير المجال الترانزستور Mosfet المنفصلة أشباه الموصلات IRFS3207ZTRRPBF

N قناة تأثير المجال الترانزستور Mosfet المنفصلة أشباه الموصلات IRFS3207ZTRRPBF
IRFB4110PBF ترانزستورات أشباه الموصلات المنفصلة لحماية الدائرة

IRFB4110PBF ترانزستورات أشباه الموصلات المنفصلة لحماية الدائرة
SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A

SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A
IGBT CoolMOS Power منفصلة أشباه الموصلات SPW35N60C3 الترانزستور Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A

IGBT CoolMOS Power منفصلة أشباه الموصلات SPW35N60C3 الترانزستور Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A
AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8

AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8
صورةجزء #الوصفالصانعمخزونRFQ
أشباه الموصلات قوة Mosfet الترانزستور N قناة STB24N60DM2

أشباه الموصلات قوة Mosfet الترانزستور N قناة STB24N60DM2
BLDC Motors المجال تأثير الترانزستور الطاقة Mosfet IPB017N10N5 Infineon

BLDC Motors المجال تأثير الترانزستور الطاقة Mosfet IPB017N10N5 Infineon
دائرة حماية الطاقة موس الترانزستور رقاقة IPD060N03LGATMA1

دائرة حماية الطاقة موس الترانزستور رقاقة IPD060N03LGATMA1
إنفينيون تكنولوجيز موسفيت أحادي ترانزستورات وحدة الطاقة IGBT 600 فولت 23 أمبير 100 وات IRG4BC30UDPBF

إنفينيون تكنولوجيز موسفيت أحادي ترانزستورات وحدة الطاقة IGBT 600 فولت 23 أمبير 100 وات IRG4BC30UDPBF
أجهزة أشباه الموصلات المنفصلة STP110N8F6 Mosfet لتبديل التطبيقات

أجهزة أشباه الموصلات المنفصلة STP110N8F6 Mosfet لتبديل التطبيقات
N قناة تأثير المجال الترانزستور Mosfet المنفصلة أشباه الموصلات IRFS3207ZTRRPBF

N قناة تأثير المجال الترانزستور Mosfet المنفصلة أشباه الموصلات IRFS3207ZTRRPBF
IRFB4110PBF ترانزستورات أشباه الموصلات المنفصلة لحماية الدائرة

IRFB4110PBF ترانزستورات أشباه الموصلات المنفصلة لحماية الدائرة
SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A

SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A
IGBT CoolMOS Power منفصلة أشباه الموصلات SPW35N60C3 الترانزستور Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A

IGBT CoolMOS Power منفصلة أشباه الموصلات SPW35N60C3 الترانزستور Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A
AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8

AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8
AO4264E ترانزستور تأثير المجال N القناة 60V 13.5A Mosfet سطح الصعود SOP8 4264

AO4264E ترانزستور تأثير المجال N القناة 60V 13.5A Mosfet سطح الصعود SOP8 4264
ترانزستور تأثير المجال Ao3402 Power Mosfet N-Channel 30v 4a Sot23 Fets Single Marking A2

ترانزستور تأثير المجال Ao3402 Power Mosfet N-Channel 30v 4a Sot23 Fets Single Marking A2
IRG7PH42UDPBF IGBT ترانزستورات الطاقة 1200V 85A 320W TO247AC إنفينيون تكنولوجيز 7PH42 Mosfet

IRG7PH42UDPBF IGBT ترانزستورات الطاقة 1200V 85A 320W TO247AC إنفينيون تكنولوجيز 7PH42 Mosfet
قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال

قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال
390V 20A 125W IGBT وحدة الطاقة NGD8205ANT4G نوع الإدخال المنطقي 8205 Mosfet

390V 20A 125W IGBT وحدة الطاقة NGD8205ANT4G نوع الإدخال المنطقي 8205 Mosfet
IRFS3207Z مجال الطاقة تأثير الترانزستور Mosfet رقاقة 75V 170A لحماية الدائرة

IRFS3207Z مجال الطاقة تأثير الترانزستور Mosfet رقاقة 75V 170A لحماية الدائرة
IRFB3206PBF ترانزستور تأثير حقل واحد 60 فولت N قناة Mosfet IR

IRFB3206PBF ترانزستور تأثير حقل واحد 60 فولت N قناة Mosfet IR
AOD4186 الصمام الثنائي الثايرستور MOSFETs ألفا وأوميغا أشباه الموصلات FETs واحد N-CH 40V 10A TO252 D4186

AOD4186 الصمام الثنائي الثايرستور MOSFETs ألفا وأوميغا أشباه الموصلات FETs واحد N-CH 40V 10A TO252 D4186
AO4616 ترانزستور تأثير الحقل SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة N + P واحدة

AO4616 ترانزستور تأثير الحقل SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة N + P واحدة
SLH60R080SS MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 FET جديد وأصلي 68mΩ 290W

SLH60R080SS MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 FET جديد وأصلي 68mΩ 290W
TPN1R603PL,L1Q Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

TPN1R603PL,L1Q Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
TPHR9203PL ، L1Q مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TPHR9203PL ، L1Q مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TPH2R506PL ، L1Q ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TPH2R506PL ، L1Q ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
LET9060S مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

LET9060S مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
NTMFS5C430NT1G مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

NTMFS5C430NT1G مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
NTMFS5C426NT1G مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

NTMFS5C426NT1G مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
CSD18514Q5AT مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

CSD18514Q5AT مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
C3M0120100K مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

C3M0120100K مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
PD85006L-E مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

PD85006L-E مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
STGW45HF60WDI أنواع العبوات IGBT 600V 70A 250W TO247 Package مصنع أصلي جديد 45HF60 MOSFET

STGW45HF60WDI أنواع العبوات IGBT 600V 70A 250W TO247 Package مصنع أصلي جديد 45HF60 MOSFET
PH2925U ، 115 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PH2925U ، 115 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN1R5-30YL ، 115 ترانزستور ذو تأثير ميداني FETs MOSFETs مفرد

PSMN1R5-30YL ، 115 ترانزستور ذو تأثير ميداني FETs MOSFETs مفرد
PSMN1R2-30YLDX Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

PSMN1R2-30YLDX Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
PSMN1R5-25YL ، 115 ترانزستور ذو تأثير ميداني FETs MOSFETs مفرد

PSMN1R5-25YL ، 115 ترانزستور ذو تأثير ميداني FETs MOSFETs مفرد
SD4933MR مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

SD4933MR مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
ترانزستور تأثير المجال PMV450ENEAR الترانزستور FETs MOSFETs واحد

ترانزستور تأثير المجال PMV450ENEAR الترانزستور FETs MOSFETs واحد
NMSD200B01-7 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

NMSD200B01-7 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TPCC8002-H (TE12L ، Q ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TPCC8002-H (TE12L ، Q ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMG4468LFG مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMG4468LFG مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
MCH3476-TL-H مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

MCH3476-TL-H مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
ZXMN2069FTA مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

ZXMN2069FTA مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMN3024LSS-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMN3024LSS-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMN10H220L-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMN10H220L-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
CSD23202W10 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

CSD23202W10 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
AO5404E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

AO5404E ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMN3029LFG-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMN3029LFG-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMP2104V-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMP2104V-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BSR315PH6327XTSA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

BSR315PH6327XTSA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
SSM3K310T (TE85L ، F) ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

SSM3K310T (TE85L ، F) ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
BSS87H6327FTSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BSS87H6327FTSA1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
1 2 3 4 5 6 7 8
اتصل بنا
عنوان: RM4،16 / F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
البريد الإلكتروني: Vicky@kz-chipforum.com
هاتف: 86--15218629016
المنتجات

الدوائر المتكاملة ICS

شريحة ذاكرة IC

IC المعزل التناظري

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

حقل التأثير الترانزستور

وحدة الطاقة IGBT

الصمام الثنائي

مكثف للأغراض العامة

Connectors Interconnects

محث الطاقة SMD
معلومات عنا
معلومات عنا شهادة الأيزو رقابة جودة سياسة الخصوصية مركز المساعدة
سياسة الخصوصية | الصين نوعية جيدة الدوائر المتكاملة ICS المورد.حقوق النشر © 2023-2025 integratedcircuitsics.com . جميع الحقوقمحجوز.