logo
أرسل رسالة
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
المنزل
المنتجات
مصنعين
معلومات عنا
موارد
أرسل RFQ
تحميل
المنزل>المنتجات>

power mosfet transistor

المرشحات
فئات
المرشحات

الدوائر المتكاملة ICS

(7037)

شريحة ذاكرة IC

(2998)

IC المعزل التناظري

(2527)

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

(5001)

حقل التأثير الترانزستور

(1839)

وحدة الطاقة IGBT

(1002)

الصمام الثنائي

(303)

مكثف للأغراض العامة

(41)

Connectors Interconnects

(83)

محث الطاقة SMD

(100)

مكون التتابع

(203)

صمامات حماية الدائرة

(195)
Keywords   [ power mosfet transistor ]  Match 1608 المنتجات.
أشباه الموصلات قوة Mosfet الترانزستور N قناة STB24N60DM2

أشباه الموصلات قوة Mosfet الترانزستور N قناة STB24N60DM2
BLDC Motors المجال تأثير الترانزستور الطاقة Mosfet IPB017N10N5 Infineon

BLDC Motors المجال تأثير الترانزستور الطاقة Mosfet IPB017N10N5 Infineon
دائرة حماية الطاقة موس الترانزستور رقاقة IPD060N03LGATMA1

دائرة حماية الطاقة موس الترانزستور رقاقة IPD060N03LGATMA1
إنفينيون تكنولوجيز موسفيت أحادي ترانزستورات وحدة الطاقة IGBT 600 فولت 23 أمبير 100 وات IRG4BC30UDPBF

إنفينيون تكنولوجيز موسفيت أحادي ترانزستورات وحدة الطاقة IGBT 600 فولت 23 أمبير 100 وات IRG4BC30UDPBF
أجهزة أشباه الموصلات المنفصلة STP110N8F6 Mosfet لتبديل التطبيقات

أجهزة أشباه الموصلات المنفصلة STP110N8F6 Mosfet لتبديل التطبيقات
N قناة تأثير المجال الترانزستور Mosfet المنفصلة أشباه الموصلات IRFS3207ZTRRPBF

N قناة تأثير المجال الترانزستور Mosfet المنفصلة أشباه الموصلات IRFS3207ZTRRPBF
IRFB4110PBF ترانزستورات أشباه الموصلات المنفصلة لحماية الدائرة

IRFB4110PBF ترانزستورات أشباه الموصلات المنفصلة لحماية الدائرة
SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A

SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A
IGBT CoolMOS Power منفصلة أشباه الموصلات SPW35N60C3 الترانزستور Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A

IGBT CoolMOS Power منفصلة أشباه الموصلات SPW35N60C3 الترانزستور Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A
AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8

AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8
صورةجزء #الوصفالصانعمخزونRFQ
STF28NM50N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STF28NM50N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STF31N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STF31N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIHB24N65E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIHB24N65E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STFI28N60M2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STFI28N60M2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STP240N10F7 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP240N10F7 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STW30NM50N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STW30NM50N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STW35N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STW35N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STP31N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP31N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STW32N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STW32N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STP28NM60ND مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP28NM60ND مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STW30NM60N تأثير المجال الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STW30NM60N تأثير المجال الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TK28N65W ، S1F مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TK28N65W ، S1F مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STW15NM60ND مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STW15NM60ND مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN070-200P ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN070-200P ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IPA65R099C6XKSA1 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

IPA65R099C6XKSA1 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STP200NF03 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP200NF03 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IPW60R280C6 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

IPW60R280C6 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STP17N62K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP17N62K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SUP60030E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SUP60030E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STI34N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STI34N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN4R4-80PS ، 127 ترانزستور ذو تأثير ميداني FETs MOSFETs مفرد

PSMN4R4-80PS ، 127 ترانزستور ذو تأثير ميداني FETs MOSFETs مفرد
PSMN1R6-30PL ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN1R6-30PL ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STF10N95K5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STF10N95K5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIRA52DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIRA52DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN015-60BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN015-60BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STD5NK50ZT4 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STD5NK50ZT4 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STL8NH3LL مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STL8NH3LL مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STFI10N62K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STFI10N62K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STP9NK65ZFP مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP9NK65ZFP مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STI13NM60N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STI13NM60N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIHP15N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIHP15N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK7907-55AIE ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK7907-55AIE ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STI260N6F6 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STI260N6F6 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
PSMN5R0-100PS ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN5R0-100PS ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IPW65R280E6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

IPW65R280E6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STFI13N95K3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STFI13N95K3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TK17E65W ، S1X ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TK17E65W ، S1X ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STW13NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

STW13NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
STW13N60M2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STW13N60M2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IPW50R250CP المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

IPW50R250CP المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STFI7N80K5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STFI7N80K5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STP20NM65N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP20NM65N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN1R5-40ES ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN1R5-40ES ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IRLZ44SPBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

IRLZ44SPBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SUP70040E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SUP70040E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN1R9-40PLQ مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

PSMN1R9-40PLQ مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STU6N65K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STU6N65K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIHF15N60E-E3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIHF15N60E-E3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIHF15N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIHF15N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TK16E60W5 ، S1VX مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TK16E60W5 ، S1VX مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
1 2 3 4 5 6 7 8
اتصل بنا
عنوان: RM4،16 / F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
البريد الإلكتروني: Vicky@kz-chipforum.com
هاتف: 86--15218629016
المنتجات

الدوائر المتكاملة ICS

شريحة ذاكرة IC

IC المعزل التناظري

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

حقل التأثير الترانزستور

وحدة الطاقة IGBT

الصمام الثنائي

مكثف للأغراض العامة

Connectors Interconnects

محث الطاقة SMD
معلومات عنا
معلومات عنا شهادة الأيزو رقابة جودة سياسة الخصوصية مركز المساعدة
سياسة الخصوصية | الصين نوعية جيدة الدوائر المتكاملة ICS المورد.حقوق النشر © 2023-2025 integratedcircuitsics.com . جميع الحقوقمحجوز.