أرسل رسالة
english français Deutsch Italiano русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
المنزل
المنتجات
مصنعين
معلومات عنا
موارد
أرسل RFQ
تحميل
المنزل>المنتجات>

fet field effect transistor

المرشحات
فئات
المرشحات

الدوائر المتكاملة ICS

(7037)

شريحة ذاكرة IC

(2998)

IC المعزل التناظري

(2527)

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

(5001)

حقل التأثير الترانزستور

(1839)

وحدة الطاقة IGBT

(1002)

الصمام الثنائي

(303)

مكثف للأغراض العامة

(41)

Connectors Interconnects

(83)

محث الطاقة SMD

(100)

مكون التتابع

(203)

صمامات حماية الدائرة

(195)
Keywords   [ fet field effect transistor ]  Match 1597 المنتجات.
SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A

SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A
IRFS3207Z مجال الطاقة تأثير الترانزستور Mosfet رقاقة 75V 170A لحماية الدائرة

IRFS3207Z مجال الطاقة تأثير الترانزستور Mosfet رقاقة 75V 170A لحماية الدائرة
AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8

AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8
AO4264E ترانزستور تأثير المجال N القناة 60V 13.5A Mosfet سطح الصعود SOP8 4264

AO4264E ترانزستور تأثير المجال N القناة 60V 13.5A Mosfet سطح الصعود SOP8 4264
AO4459 ترانزستور تأثير الحقل 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة P واحدة

AO4459 ترانزستور تأثير الحقل 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة P واحدة
AO4616 ترانزستور تأثير الحقل SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة N + P واحدة

AO4616 ترانزستور تأثير الحقل SOP8 SOIC8 MOS FETs قناة N + P واحدة
SLH60R080SS MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 FET جديد وأصلي 68mΩ 290W

SLH60R080SS MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 FET جديد وأصلي 68mΩ 290W
ترانزستور تأثير المجال Ao3402 Power Mosfet N-Channel 30v 4a Sot23 Fets Single Marking A2

ترانزستور تأثير المجال Ao3402 Power Mosfet N-Channel 30v 4a Sot23 Fets Single Marking A2
CE3512K2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CE3512K2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
CE3514M4 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF

CE3514M4 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة RF
صورةجزء #الوصفالصانعمخزونRFQ
STI34N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STI34N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN4R4-80PS ، 127 ترانزستور ذو تأثير ميداني FETs MOSFETs مفرد

PSMN4R4-80PS ، 127 ترانزستور ذو تأثير ميداني FETs MOSFETs مفرد
PSMN1R6-30PL ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN1R6-30PL ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STF10N95K5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STF10N95K5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIRA52DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIRA52DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PH2925U ، 115 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PH2925U ، 115 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN015-60BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN015-60BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STD5NK50ZT4 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STD5NK50ZT4 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STL8NH3LL مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STL8NH3LL مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STFI10N62K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STFI10N62K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STP9NK65ZFP مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP9NK65ZFP مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STI13NM60N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STI13NM60N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIHP15N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIHP15N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK7907-55AIE ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK7907-55AIE ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STI260N6F6 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STI260N6F6 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
PSMN5R0-100PS ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN5R0-100PS ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IPW65R280E6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

IPW65R280E6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STFI13N95K3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STFI13N95K3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TK17E65W ، S1X ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TK17E65W ، S1X ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STW13NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

STW13NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
STW13N60M2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STW13N60M2 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IPW50R250CP المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

IPW50R250CP المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STFI7N80K5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STFI7N80K5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STP20NM65N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP20NM65N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN1R5-40ES ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN1R5-40ES ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IRLZ44SPBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

IRLZ44SPBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SUP70040E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SUP70040E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN1R9-40PLQ مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

PSMN1R9-40PLQ مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STU6N65K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STU6N65K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIHF15N60E-E3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIHF15N60E-E3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIHF15N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIHF15N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TK16E60W5 ، S1VX مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TK16E60W5 ، S1VX مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STB80NF55L-08-1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STB80NF55L-08-1 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIHP30N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIHP30N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STP80NF10FP مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP80NF10FP مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN2R0-60ES ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN2R0-60ES ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
AOT2502L مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

AOT2502L مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN5R0-100ES ، 127 ترانزستور ذو تأثير ميداني FETs MOSFETs مفرد

PSMN5R0-100ES ، 127 ترانزستور ذو تأثير ميداني FETs MOSFETs مفرد
IRFB3207ZGPBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

IRFB3207ZGPBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STFI13NK60Z تأثير المجال الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STFI13NK60Z تأثير المجال الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
SIHF30N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIHF30N60E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TK14N65W5 ، S1F ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TK14N65W5 ، S1F ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STP18N55M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP18N55M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TK12A80W ، S4X ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TK12A80W ، S4X ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STB180N55F3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STB180N55F3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
STFW1N105K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STFW1N105K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STF45N10F7 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STF45N10F7 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
AOTF20C60PL مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

AOTF20C60PL مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIHH21N65E-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

SIHH21N65E-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
7 8 9 10 11 12 13 14
اتصل بنا
عنوان: RM4،16 / F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
البريد الإلكتروني: Vicky@kz-chipforum.com
هاتف: 86--15218629016
المنتجات

الدوائر المتكاملة ICS

شريحة ذاكرة IC

IC المعزل التناظري

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

حقل التأثير الترانزستور

وحدة الطاقة IGBT

الصمام الثنائي

مكثف للأغراض العامة

Connectors Interconnects

محث الطاقة SMD
معلومات عنا
معلومات عنا شهادة الأيزو رقابة جودة سياسة الخصوصية مركز المساعدة
سياسة الخصوصية | الصين نوعية جيدة الدوائر المتكاملة ICS المورد.حقوق النشر © 2023-2025 integratedcircuitsics.com . جميع الحقوقمحجوز.