أرسل رسالة
english français Deutsch Italiano русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
المنزل
المنتجات
مصنعين
معلومات عنا
موارد
أرسل RFQ
تحميل
المنزل > المنتجات > حقل التأثير الترانزستور
المرشحات
المرشحات

الدوائر المتكاملة ICS

(7037)

شريحة ذاكرة IC

(2998)

IC المعزل التناظري

(2527)

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

(5001)

حقل التأثير الترانزستور

(1839)

وحدة الطاقة IGBT

(1002)

الصمام الثنائي

(303)

مكثف للأغراض العامة

(41)

Connectors Interconnects

(83)

محث الطاقة SMD

(100)

مكون التتابع

(203)

صمامات حماية الدائرة

(195)

حقل التأثير الترانزستور

CSD23202W10 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

CSD23202W10 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMN10H220L-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMN10H220L-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMN3024LSS-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMN3024LSS-13 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
ZXMN2069FTA مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

ZXMN2069FTA مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
MCH3476-TL-H مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

MCH3476-TL-H مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMG4468LFG مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMG4468LFG مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STW26NM60ND مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STW26NM60ND مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TK17A80W ، S4X ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TK17A80W ، S4X ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TPCC8002-H (TE12L ، Q ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TPCC8002-H (TE12L ، Q ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
صورةجزء #الوصفالصانعمخزونRFQ
SI2304DDS-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

SI2304DDS-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
DMN601WKQ-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMN601WKQ-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMS3014SFG-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMS3014SFG-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
RSU002P03T106 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

RSU002P03T106 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
DMP31D0U-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

DMP31D0U-7 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STL55NH3LL مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STL55NH3LL مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
BUK9616-75B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK9616-75B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TK8P60W5 ، RVQ مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TK8P60W5 ، RVQ مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SQJ488EP-T1_GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

SQJ488EP-T1_GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
SQJ422EP-T1_GE3 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

SQJ422EP-T1_GE3 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
BUK6607-55C ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK6607-55C ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN1R5-25YL ، 115 ترانزستور ذو تأثير ميداني FETs MOSFETs مفرد

PSMN1R5-25YL ، 115 ترانزستور ذو تأثير ميداني FETs MOSFETs مفرد
PSMN017-80BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN017-80BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN027-100BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN027-100BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK9675-100A ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK9675-100A ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STU150N3LLH6 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STU150N3LLH6 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STDLED625H Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

STDLED625H Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
STP75N3LLH6 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

STP75N3LLH6 مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
BUK7640-100A ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK7640-100A ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK9611-80E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK9611-80E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK7613-100E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK7613-100E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK664R4-55C ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK664R4-55C ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STD5NM60T4 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STD5NM60T4 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIHJ6N65E-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

SIHJ6N65E-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
IRFR9210PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

IRFR9210PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TPH2R506PL ، L1Q ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TPH2R506PL ، L1Q ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN017-30EL ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN017-30EL ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PHB27NQ10T ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PHB27NQ10T ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN016-100PS ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN016-100PS ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PHP9NQ20T ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PHP9NQ20T ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PHP18NQ10T ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs أحادي

PHP18NQ10T ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs أحادي
STD7NM64N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STD7NM64N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK964R1-40E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK964R1-40E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TK11P65W ، RQ مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TK11P65W ، RQ مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SI4427BDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SI4427BDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IRFR210PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

IRFR210PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
BUK766R0-60E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK766R0-60E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PHP23NQ11T ، 127 ترانزستور تأثير المجال FETs MOSFETs أحادي

PHP23NQ11T ، 127 ترانزستور تأثير المجال FETs MOSFETs أحادي
PSMN8R7-80BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN8R7-80BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN008-75B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN008-75B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN013-100BS,118 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

PSMN013-100BS,118 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
STD45NF75T4 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STD45NF75T4 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK9608-55B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK9608-55B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SI7102DN-T1-E3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

SI7102DN-T1-E3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
IPS65R1K4C6AKMA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

IPS65R1K4C6AKMA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK765R2-40B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK765R2-40B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STD6N52K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STD6N52K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN016-100BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN016-100BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
NTMFS5C426NT1G مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

NTMFS5C426NT1G مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PHB33NQ20T ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PHB33NQ20T ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
9 10 11 12 13
اتصل بنا
عنوان: RM4،16 / F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
البريد الإلكتروني: Vicky@kz-chipforum.com
هاتف: 86--15218629016
المنتجات

الدوائر المتكاملة ICS

شريحة ذاكرة IC

IC المعزل التناظري

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

حقل التأثير الترانزستور

وحدة الطاقة IGBT

الصمام الثنائي

مكثف للأغراض العامة

Connectors Interconnects

محث الطاقة SMD
معلومات عنا
معلومات عنا شهادة الأيزو رقابة جودة سياسة الخصوصية مركز المساعدة
سياسة الخصوصية | الصين نوعية جيدة الدوائر المتكاملة ICS المورد.حقوق النشر © 2023-2024 integratedcircuitsics.com . جميع الحقوقمحجوز.