أرسل رسالة
منزل المنتجاتحقل التأثير الترانزستور

IRF8313PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفائف

ابن دردش الآن

IRF8313PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفائف

IRF8313PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفائف
IRF8313PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفائف

صورة كبيرة :  IRF8313PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفائف

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: إبداعي
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: قابل للتفاوض
الأسعار: Negotiable
وقت التسليم: قابل للتفاوض
شروط الدفع: T / T ، L / C ، D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام
القدرة على العرض: 100000

IRF8313PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفائف

وصف
رقم القطعة: IRF8313PBF الصانع: إنفينيون تكنولوجيز
وصف: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC فئة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف
عائلة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

مواصفات IRF8313PBF

حالة الجزء توقف في Digi-Key
نوع FET 2 N- قناة (مزدوج)
ميزة FET بوابة المستوى المنطقي
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) 30 فولت
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية 9.7 أ
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs 15.5 مللي أوم @ 9.7 أمبير ، 10 فولت
Vgs (th) (ماكس) @ Id 2.35V @ 25µA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 90nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds 760pF @ 15V
أقصى القوة 2 واط
درجة حرارة التشغيل -55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (TJ)
نوع التركيب سطح جبل
العبوة / العلبة 8-SOIC (0.154 بوصة ، عرض 3.90 ملم)
حزمة جهاز المورد 8-سو
شحنة UPS / EMS / DHL / FedEx Express.
الشرط مصنع أصلي جديد.

تغليف IRF8313PBF

كشف

IRF8313PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفائف 0IRF8313PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفائف 1IRF8313PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفائف 2IRF8313PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs صفائف 3

تفاصيل الاتصال
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

اتصل شخص: Darek

الهاتف :: +8615017926135

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)