أرسل رسالة
منزل المنتجاتحقل التأثير الترانزستور

SI9933CDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

ابن دردش الآن

SI9933CDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

SI9933CDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات
SI9933CDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

صورة كبيرة :  SI9933CDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: إبداعي
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: قابل للتفاوض
الأسعار: Negotiable
وقت التسليم: قابل للتفاوض
شروط الدفع: T / T ، L / C ، D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام
القدرة على العرض: 100000

SI9933CDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

وصف
رقم القطعة: SI9933CDY-T1-GE3 الصانع: فيشاي Siliconix
وصف: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC فئة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف
عائلة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف مسلسل: TrenchFET®

مواصفات SI9933CDY-T1-GE3

حالة الجزء نشيط
نوع FET 2 قناة ف (مزدوجة)
ميزة FET بوابة المستوى المنطقي
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) 20 فولت
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية 4 ا
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs 58 مللي أوم @ 4.8A ، 4.5 فولت
Vgs (th) (ماكس) @ Id 1.4V @ 250µA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 26nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds 665pF @ 10V
أقصى القوة 3.1 واط
درجة حرارة التشغيل -50 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
نوع التركيب سطح جبل
العبوة / العلبة 8-SOIC (0.154 بوصة ، عرض 3.90 ملم)
حزمة جهاز المورد 8-سو
شحنة UPS / EMS / DHL / FedEx Express.
الشرط مصنع أصلي جديد.

التعبئة والتغليف SI9933CDY-T1-GE3

كشف

SI9933CDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات 0SI9933CDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات 1SI9933CDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات 2SI9933CDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات 3

تفاصيل الاتصال
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

اتصل شخص: Darek

الهاتف :: +8615017926135

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)