أرسل رسالة
منزل المنتجاتحقل التأثير الترانزستور

SIA519EDJ-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

ابن دردش الآن

SIA519EDJ-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

SIA519EDJ-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات
SIA519EDJ-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

صورة كبيرة :  SIA519EDJ-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: إبداعي
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: قابل للتفاوض
الأسعار: Negotiable
وقت التسليم: قابل للتفاوض
شروط الدفع: T / T ، L / C ، D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام
القدرة على العرض: 100000

SIA519EDJ-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

وصف
رقم القطعة: SIA519EDJ-T1-GE3 الصانع: فيشاي Siliconix
وصف: MOSFET N / P-CH 20V 4.5A SC70-6 فئة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف
عائلة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف مسلسل: TrenchFET®

مواصفات SIA519EDJ-T1-GE3

حالة الجزء نشيط
نوع FET N و P- القناة
ميزة FET بوابة المستوى المنطقي
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) 20 فولت
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية 4.5 أ
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs 40 مللي أمبير @ 4.2 أمبير ، 4.5 فولت
Vgs (th) (ماكس) @ Id 1.4V @ 250µA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 12nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds 350pF @ 10V
أقصى القوة 7.8 واط
درجة حرارة التشغيل -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
نوع التركيب سطح جبل
العبوة / العلبة PowerPAK® SC-70-6 مزدوج
حزمة جهاز المورد PowerPAK® SC-70-6 مزدوج
شحنة UPS / EMS / DHL / FedEx Express.
الشرط مصنع أصلي جديد.

تغليف SIA519EDJ-T1-GE3

كشف

SIA519EDJ-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات 0SIA519EDJ-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات 1SIA519EDJ-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات 2SIA519EDJ-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات 3

تفاصيل الاتصال
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

اتصل شخص: Darek

الهاتف :: +8615017926135

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)