أرسل رسالة
منزل المنتجاتحقل التأثير الترانزستور

SI7540DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

ابن دردش الآن

SI7540DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

SI7540DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات
SI7540DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

صورة كبيرة :  SI7540DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: إبداعي
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: قابل للتفاوض
الأسعار: Negotiable
وقت التسليم: قابل للتفاوض
شروط الدفع: T / T ، L / C ، D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام
القدرة على العرض: 100000

SI7540DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات

وصف
رقم القطعة: SI7540DP-T1-GE3 الصانع: فيشاي Siliconix
وصف: MOSFET N / P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 فئة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف
عائلة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف مسلسل: TrenchFET®

مواصفات SI7540DP-T1-GE3

حالة الجزء آخر مرة شراء
نوع FET N و P- القناة
ميزة FET بوابة المستوى المنطقي
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) 12 فولت
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية 7.6 أ ، 5.7 أ
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs 17 mOhm @ 11.8A، 4.5V
Vgs (th) (ماكس) @ Id 1.5 فولت @ 250 أوم
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 17nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds -
أقصى القوة 1.4 واط
درجة حرارة التشغيل -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
نوع التركيب سطح جبل
العبوة / العلبة PowerPAK® SO-8 مزدوج
حزمة جهاز المورد PowerPAK® SO-8 مزدوج
شحنة UPS / EMS / DHL / FedEx Express.
الشرط مصنع أصلي جديد.

تغليف SI7540DP-T1-GE3

كشف

SI7540DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات 0SI7540DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات 1SI7540DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات 2SI7540DP-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs صفيفات 3

تفاصيل الاتصال
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

اتصل شخص: Darek

الهاتف :: +8615017926135

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)