أرسل رسالة
منزل المنتجاتحقل التأثير الترانزستور

MRF6VP3450HR6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

ابن دردش الآن

MRF6VP3450HR6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

MRF6VP3450HR6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية
MRF6VP3450HR6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

صورة كبيرة :  MRF6VP3450HR6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: إبداعي
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: قابل للتفاوض
الأسعار: Negotiable
وقت التسليم: قابل للتفاوض
شروط الدفع: T / T ، L / C ، D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام
القدرة على العرض: 100000

MRF6VP3450HR6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

وصف
رقم القطعة: MRF6VP3450HR6 الصانع: NXP USA Inc.
وصف: FET RF 2CH 110 فولت 860 ميجا هرتز NI-1230 فئة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF
عائلة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

مواصفات MRF6VP3450HR6

حالة الجزء ليس للتصاميم الجديدة
نوع الترانزستور LDMOS (مزدوج)
تكرار 860 ميجا هرتز
يكسب 22.5 ديسيبل
الجهد - اختبار 50 فولت
التصويت الحالي -
الرقم الضوضاء -
الاختبار الحالي 1.4 أ
مخرج قوي 90 واط
الجهد - تقييمه 110 فولت
العبوة / العلبة NI-1230
حزمة جهاز المورد NI-1230
شحنة UPS / EMS / DHL / FedEx Express.
الشرط مصنع أصلي جديد.

التعبئة والتغليف MRF6VP3450HR6

كشف

MRF6VP3450HR6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 0MRF6VP3450HR6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 1MRF6VP3450HR6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 2MRF6VP3450HR6 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 3

تفاصيل الاتصال
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

اتصل شخص: Darek

الهاتف :: +8615017926135

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)