أرسل رسالة
منزل المنتجاتحقل التأثير الترانزستور

MRF6S21140HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

ابن دردش الآن

MRF6S21140HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

MRF6S21140HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية
MRF6S21140HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

صورة كبيرة :  MRF6S21140HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: إبداعي
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: قابل للتفاوض
الأسعار: Negotiable
وقت التسليم: قابل للتفاوض
شروط الدفع: T / T ، L / C ، D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام
القدرة على العرض: 100000

MRF6S21140HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

وصف
رقم القطعة: MRF6S21140HR3 الصانع: NXP USA Inc.
وصف: FET RF 68V 2.12 جيجا هرتز NI-880 فئة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF
عائلة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

مواصفات MRF6S21140HR3

حالة الجزء عفا عليها الزمن
نوع الترانزستور LDMOS
تكرار 2.12 جيجاهرتز
يكسب 15.5 ديسيبل
الجهد - اختبار 28 فولت
التصويت الحالي -
الرقم الضوضاء -
الاختبار الحالي 1.2 أ
مخرج قوي 30 واط
الجهد - تقييمه 68 فولت
العبوة / العلبة NI-880
حزمة جهاز المورد NI-880
شحنة UPS / EMS / DHL / FedEx Express.
الشرط مصنع أصلي جديد.

التعبئة والتغليف MRF6S21140HR3

كشف

MRF6S21140HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 0MRF6S21140HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 1MRF6S21140HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 2MRF6S21140HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 3

تفاصيل الاتصال
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

اتصل شخص: Darek

الهاتف :: +8615017926135

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)