أرسل رسالة
منزل المنتجاتحقل التأثير الترانزستور

MRF8S8260HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

ابن دردش الآن

MRF8S8260HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

MRF8S8260HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية
MRF8S8260HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

صورة كبيرة :  MRF8S8260HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: إبداعي
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: قابل للتفاوض
الأسعار: Negotiable
وقت التسليم: قابل للتفاوض
شروط الدفع: T / T ، L / C ، D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام
القدرة على العرض: 100000

MRF8S8260HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

وصف
رقم القطعة: MRF8S8260HR3 الصانع: NXP USA Inc.
وصف: FET RF 70V 895 ميجا هرتز NI880 فئة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF
عائلة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

مواصفات MRF8S8260HR3

حالة الجزء عفا عليها الزمن
نوع الترانزستور LDMOS
تكرار 895 ميجا هرتز
يكسب 21.1 ديسيبل
الجهد - اختبار 28 فولت
التصويت الحالي -
الرقم الضوضاء -
الاختبار الحالي 1.5 أ
مخرج قوي 70 واط
الجهد - تقييمه 70 فولت
العبوة / العلبة NI-880
حزمة جهاز المورد NI-880
شحنة UPS / EMS / DHL / FedEx Express.
الشرط مصنع أصلي جديد.

التعبئة والتغليف MRF8S8260HR3

كشف

MRF8S8260HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 0MRF8S8260HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 1MRF8S8260HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 2MRF8S8260HR3 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 3

تفاصيل الاتصال
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

اتصل شخص: Darek

الهاتف :: +8615017926135

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)