أرسل رسالة
منزل المنتجاتحقل التأثير الترانزستور

MRF8P8300HSR5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

ابن دردش الآن

MRF8P8300HSR5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

MRF8P8300HSR5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية
MRF8P8300HSR5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

صورة كبيرة :  MRF8P8300HSR5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: إبداعي
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: قابل للتفاوض
الأسعار: Negotiable
وقت التسليم: قابل للتفاوض
شروط الدفع: T / T ، L / C ، D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام
القدرة على العرض: 100000

MRF8P8300HSR5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

وصف
رقم القطعة: MRF8P8300HSR5 الصانع: NXP USA Inc.
وصف: FET RF 2CH 70V 820 ميجا هرتز NI1230S فئة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF
عائلة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

مواصفات MRF8P8300HSR5

حالة الجزء توقف في Digi-Key
نوع الترانزستور LDMOS (مزدوج)
تكرار 820 ميجا هرتز
يكسب 20.9 ديسيبل
الجهد - اختبار 28 فولت
التصويت الحالي -
الرقم الضوضاء -
الاختبار الحالي 2 أ
مخرج قوي 96 واط
الجهد - تقييمه 70 فولت
العبوة / العلبة NI-1230S
حزمة جهاز المورد NI-1230S
شحنة UPS / EMS / DHL / FedEx Express.
الشرط مصنع أصلي جديد.

التعبئة والتغليف MRF8P8300HSR5

كشف

MRF8P8300HSR5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 0MRF8P8300HSR5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 1MRF8P8300HSR5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 2MRF8P8300HSR5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 3

تفاصيل الاتصال
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

اتصل شخص: Darek

الهاتف :: +8615017926135

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)