أرسل رسالة
منزل المنتجاتحقل التأثير الترانزستور

MRF8S23120HR5 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

ابن دردش الآن

MRF8S23120HR5 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

MRF8S23120HR5 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية
MRF8S23120HR5 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

صورة كبيرة :  MRF8S23120HR5 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: إبداعي
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: قابل للتفاوض
الأسعار: Negotiable
وقت التسليم: قابل للتفاوض
شروط الدفع: T / T ، L / C ، D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام
القدرة على العرض: 100000

MRF8S23120HR5 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية

وصف
رقم القطعة: MRF8S23120HR5 الصانع: NXP USA Inc.
وصف: FET RF 65V 2.3 جيجا هرتز NI-780 فئة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF
عائلة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

مواصفات MRF8S23120HR5

حالة الجزء عفا عليها الزمن
نوع الترانزستور LDMOS
تكرار 2.3 جيجا هرتز
يكسب 16 ديسيبل
الجهد - اختبار 28 فولت
التصويت الحالي -
الرقم الضوضاء -
الاختبار الحالي 800 مللي أمبير
مخرج قوي 28 واط
الجهد - تقييمه 65 فولت
العبوة / العلبة NI-780
حزمة جهاز المورد NI-780
شحنة UPS / EMS / DHL / FedEx Express.
الشرط مصنع أصلي جديد.

التعبئة والتغليف MRF8S23120HR5

كشف

MRF8S23120HR5 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 0MRF8S23120HR5 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 1MRF8S23120HR5 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 2MRF8S23120HR5 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs رقاقة الترددات اللاسلكية 3

تفاصيل الاتصال
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

اتصل شخص: Darek

الهاتف :: +8615017926135

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)