أرسل رسالة
منزل المنتجاتحقل التأثير الترانزستور

NE3515S02-T1C-A الترانزستور ذو التأثير الميداني FETs MOSFETs RF Chip

ابن دردش الآن

NE3515S02-T1C-A الترانزستور ذو التأثير الميداني FETs MOSFETs RF Chip

NE3515S02-T1C-A الترانزستور ذو التأثير الميداني FETs MOSFETs RF Chip
NE3515S02-T1C-A الترانزستور ذو التأثير الميداني FETs MOSFETs RF Chip

صورة كبيرة :  NE3515S02-T1C-A الترانزستور ذو التأثير الميداني FETs MOSFETs RF Chip

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: إبداعي
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: قابل للتفاوض
الأسعار: Negotiable
وقت التسليم: قابل للتفاوض
شروط الدفع: T / T ، L / C ، D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام
القدرة على العرض: 100000

NE3515S02-T1C-A الترانزستور ذو التأثير الميداني FETs MOSFETs RF Chip

وصف
رقم القطعة: NE3515S02-T1C-A الصانع: زيلوج
وصف: FET RF HFET 12 جيجا هرتز 2 فولت 10 مللي أمبير S02 فئة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF
عائلة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

مواصفات NE3515S02-T1C-A

حالة الجزء آخر مرة شراء
نوع الترانزستور HFET
تكرار 12 جيجا هرتز
يكسب 12.5 ديسيبل
الجهد - اختبار 2 فولت
التصويت الحالي 88 مللي أمبير
الرقم الضوضاء 0.3 ديسيبل
الاختبار الحالي 10 مللي أمبير
مخرج قوي 14 ديسيبل
الجهد - تقييمه 4 فولت
العبوة / العلبة 4-SMD ، خيوط مسطحة
حزمة جهاز المورد S02
شحنة UPS / EMS / DHL / FedEx Express.
الشرط مصنع أصلي جديد.

NE3515S02-T1C-A التعبئة والتغليف

كشف

NE3515S02-T1C-A الترانزستور ذو التأثير الميداني FETs MOSFETs RF Chip 0NE3515S02-T1C-A الترانزستور ذو التأثير الميداني FETs MOSFETs RF Chip 1NE3515S02-T1C-A الترانزستور ذو التأثير الميداني FETs MOSFETs RF Chip 2NE3515S02-T1C-A الترانزستور ذو التأثير الميداني FETs MOSFETs RF Chip 3

تفاصيل الاتصال
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

اتصل شخص: Darek

الهاتف :: +8615017926135

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)