أرسل رسالة
المنزل > المنتجات > وحدة الطاقة IGBT > IGBT Power Transistors NGTB40N120SWG Charging Pile Inverter Welding Chip

IGBT Power Transistors NGTB40N120SWG Charging Pile Inverter Welding Chip

الفئة:
وحدة الطاقة IGBT
سعر:
Negotiable
طريقة الدفع او السداد:
T / T ، D / P ، D / A ، L / C ، ويسترن يونيون ، موني جرام
المواصفات
موديل المنتج:
NGTB40N120SWG
حزمة المورد:
TO-247-3
وصف مختصر:
الترانزستور ثنائي القطب المعزول بالبوابة
فئة المنتج:
وحدة الطاقة IGBT
مجالات التطبيق:
اللحام
تاريخ التصنيع:
في غضون عام
تسليط الضوء:

NGTB40N120SWG,IGBT Power Transistors

,

IGBT Power Transistors

مقدمة
Product Range
  •  Igbt Power Module Transistors NGTB40N120SWG Charging Pile Inverter Welding Chip

App Characteristics

  •  TJmax = 175°C • Soft Fast Reverse Recovery Diode
  •  Optimized for High Speed Switching
  •  10 us Short Circuit Capability
  • These are Pb−Free Devices
Basic Data
Product Attribute Attribute Value
onsemi
Product Category: IGBT Transistors
RoHS: Details
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2 V
20 V
80 A
535 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Brand: onsemi
Continuous Collector Current Ic Max: 40 A
Gate-Emitter Leakage Current: 200 nA
Product Type: IGBT Transistors
30
Subcategory: IGBTs
Unit Weight: 1.340411 oz
DOWNLOAD DATASHEET
Application
  •  Widely used in stage, concert, network communication,Smartphones Tablets Laptops Notebooks Power Adapters Cameras Dongle
Order Process

 

Add Parts to RFQ form Submit RFQ We reply within 24 hours
You confirm order Payment Ship out your order

 

Chip Diagram

IGBT Power Transistors NGTB40N120SWG Charging Pile Inverter Welding ChipIGBT Power Transistors NGTB40N120SWG Charging Pile Inverter Welding ChipIGBT Power Transistors NGTB40N120SWG Charging Pile Inverter Welding Chip

أرسل RFQ
مخزون:
الـ MOQ:
Negotiable