logo
أرسل رسالة
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
المنزل
المنتجات
مصنعين
معلومات عنا
موارد
أرسل RFQ
تحميل
المنزل>المنتجات>

power mosfet transistor

المرشحات
فئات
المرشحات

الدوائر المتكاملة ICS

(7037)

شريحة ذاكرة IC

(2998)

IC المعزل التناظري

(2527)

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

(5001)

حقل التأثير الترانزستور

(1839)

وحدة الطاقة IGBT

(1002)

الصمام الثنائي

(303)

مكثف للأغراض العامة

(41)

Connectors Interconnects

(83)

محث الطاقة SMD

(100)

مكون التتابع

(203)

صمامات حماية الدائرة

(195)
Keywords   [ power mosfet transistor ]  Match 1608 المنتجات.
أشباه الموصلات قوة Mosfet الترانزستور N قناة STB24N60DM2

أشباه الموصلات قوة Mosfet الترانزستور N قناة STB24N60DM2
BLDC Motors المجال تأثير الترانزستور الطاقة Mosfet IPB017N10N5 Infineon

BLDC Motors المجال تأثير الترانزستور الطاقة Mosfet IPB017N10N5 Infineon
دائرة حماية الطاقة موس الترانزستور رقاقة IPD060N03LGATMA1

دائرة حماية الطاقة موس الترانزستور رقاقة IPD060N03LGATMA1
إنفينيون تكنولوجيز موسفيت أحادي ترانزستورات وحدة الطاقة IGBT 600 فولت 23 أمبير 100 وات IRG4BC30UDPBF

إنفينيون تكنولوجيز موسفيت أحادي ترانزستورات وحدة الطاقة IGBT 600 فولت 23 أمبير 100 وات IRG4BC30UDPBF
أجهزة أشباه الموصلات المنفصلة STP110N8F6 Mosfet لتبديل التطبيقات

أجهزة أشباه الموصلات المنفصلة STP110N8F6 Mosfet لتبديل التطبيقات
N قناة تأثير المجال الترانزستور Mosfet المنفصلة أشباه الموصلات IRFS3207ZTRRPBF

N قناة تأثير المجال الترانزستور Mosfet المنفصلة أشباه الموصلات IRFS3207ZTRRPBF
IRFB4110PBF ترانزستورات أشباه الموصلات المنفصلة لحماية الدائرة

IRFB4110PBF ترانزستورات أشباه الموصلات المنفصلة لحماية الدائرة
SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A

SMD / SMT مجال تأثير الترانزستور حماية الدائرة رقاقة IRF8736TRPBF 30V 18A
IGBT CoolMOS Power منفصلة أشباه الموصلات SPW35N60C3 الترانزستور Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A

IGBT CoolMOS Power منفصلة أشباه الموصلات SPW35N60C3 الترانزستور Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A
AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8

AO4266E ترانزستور تأثير المجال N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8
صورةجزء #الوصفالصانعمخزونRFQ
IRFR224PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

IRFR224PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PHP28NQ15T ، 127 ترانزستور تأثير المجال FETs MOSFETs مفرد

PHP28NQ15T ، 127 ترانزستور تأثير المجال FETs MOSFETs مفرد
BUK7609-75A ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK7609-75A ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK768R1-100E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK768R1-100E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SI4472DY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SI4472DY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK7604-40A ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK7604-40A ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STU3LN62K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STU3LN62K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PHP29N08T ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs أحادي

PHP29N08T ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs أحادي
STP7NM50N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

STP7NM50N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
STB8NM60D مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STB8NM60D مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STU12N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STU12N65M5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STB76NF80 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STB76NF80 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STK820 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STK820 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK6607-75C ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK6607-75C ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STU8NM50N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STU8NM50N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IRFU9014PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

IRFU9014PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK9620-100B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK9620-100B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STI55NF03L مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STI55NF03L مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN4R5-40BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

PSMN4R5-40BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
CSD16325Q5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

CSD16325Q5 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIHD12N50E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SIHD12N50E-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK965R4-40E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK965R4-40E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN7R6-60BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

PSMN7R6-60BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
PHB33NQ20T ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PHB33NQ20T ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN016-100BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN016-100BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STD6N52K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STD6N52K3 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK765R2-40B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK765R2-40B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IPS65R1K4C6AKMA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

IPS65R1K4C6AKMA1 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SI7102DN-T1-E3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

SI7102DN-T1-E3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
BUK9608-55B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK9608-55B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STD45NF75T4 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STD45NF75T4 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN013-100BS,118 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

PSMN013-100BS,118 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
PSMN008-75B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN008-75B ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN8R7-80BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN8R7-80BS ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PHP23NQ11T ، 127 ترانزستور تأثير المجال FETs MOSFETs أحادي

PHP23NQ11T ، 127 ترانزستور تأثير المجال FETs MOSFETs أحادي
BUK766R0-60E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK766R0-60E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IRFR210PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

IRFR210PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد
SI4427BDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

SI4427BDY-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
TK11P65W ، RQ مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

TK11P65W ، RQ مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK964R1-40E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK964R1-40E ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STD7NM64N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STD7NM64N مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PHP18NQ10T ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs أحادي

PHP18NQ10T ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs أحادي
PHP9NQ20T ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PHP9NQ20T ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN016-100PS ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN016-100PS ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PHB27NQ10T ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PHB27NQ10T ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
PSMN017-30EL ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

PSMN017-30EL ، 127 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
IRFR9210PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

IRFR9210PBF مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
SIHJ6N65E-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد

SIHJ6N65E-T1-GE3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs مفرد
STD5NM60T4 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STD5NM60T4 المجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
BUK664R4-55C ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد

BUK664R4-55C ، 118 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
7 8 9 10 11 12 13 14
اتصل بنا
عنوان: RM4،16 / F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
البريد الإلكتروني: Vicky@kz-chipforum.com
هاتف: 86--15218629016
المنتجات

الدوائر المتكاملة ICS

شريحة ذاكرة IC

IC المعزل التناظري

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

حقل التأثير الترانزستور

وحدة الطاقة IGBT

الصمام الثنائي

مكثف للأغراض العامة

Connectors Interconnects

محث الطاقة SMD
معلومات عنا
معلومات عنا شهادة الأيزو رقابة جودة سياسة الخصوصية مركز المساعدة
سياسة الخصوصية | الصين نوعية جيدة الدوائر المتكاملة ICS المورد.حقوق النشر © 2023-2025 integratedcircuitsics.com . جميع الحقوقمحجوز.